[26p-E203-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [26p-E203-4] 高反射率誘電体多層膜反射鏡適用による AlGaN 系 UV-B レーザダイオードの特性改善

〇(M1)薮谷 歩武¹、大森 智也¹、山田 和輝¹、長谷川 亮太¹、岩山 章¹、神 好人³、松本 竜弥³、寅丸 雅光³、鳥居 博典⁴、豊田 隼大¹、今井 大地¹、上山 智¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹、三宅 秀人² (1.名城大・理工、2.三重大・地域イノベ、3.株式会社日本製鋼所、4.JSW アフティ株式会社)

キーワード：半導体、窒化物、紫外レーザー

AlGaN 系深紫外半導体レーザは医療分野や加工など幅広い応用分野があり実用化が期待されており UV-A、UV-B、UV-C 半導体レーザの室温発振が報告されている。その高性能化には高反射率・ 低反射率誘電体多層膜（DBR）の開発が不可欠である。既に HfO₂-SiO₂などの報告例があるが，反射率 が低いなどの問題もあることからさらなる改善が必要である。今回は DBR の材料として SiO₂-Ta₂O₅を 用いて高反射率膜を作製し、AlGaN 上に作製した UV-B レーザの特性向上について報告する。