[26p-E203-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [26p-E203-6] 230 nm遠紫外第二高調波発生に向けたHfO₂/AlN横型擬似位相整合チャネル導波路の作製

〇本田 啓人¹、俵 悠弥¹、藤原 康文¹、正直 花奈子^1,2、三宅 秀人^2,3、上向井 正裕¹、谷川 智之¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工、2.三重大院工、3.三重大院地域イノベ)

キーワード：紫外光、窒化物半導体、光デバイス

波長230 nm近傍の遠紫外光は皮膚表面の核酸のない角質層で吸収されるため、人体に対し無害な消毒・殺菌が可能である。我々は強い光学非線形性を有する窒化物半導体による高効率な第二高調波発生（SHG）をめざし、AlN薄膜上に成膜が容易なアモルファス薄膜を積層した線形/非線形 横型QPM導波路型波長変換デバイスを提案し、設計を行った。本発表では、230 nm遠紫外SHGに向けた線形/非線形 横型QPMチャネル導波路の作製について報告する。