[26p-E206-1~14] CS.6 Code-sharing Session of 6.5 & 7.6

[26p-E206-4] Study of oxidation on GaN surface by synchrotron XPS under irradiating ultrasonic oxidation gas

〇Masatomo Sumiya¹, Tetsuya Sakamoto², Yasutaka Tsuda², Masato Sumita³, Akitaka Yoshigoe² (1.NIMS, 2.JAEA, 3.KIKEN AIP)

Keywords:dynamic synchrotron XPS, Surface oxidation of GaN

エネルギーの揃った分子線状態の酸化ガスを用いてXPS観測室内に設置した試料表面に照射しながらO 1s内殻スペクトルを測定できるシステムを用いて、次世代パワーデバイスとして期待されているGaN表面でのO1sスペクトル変化をリアルタイムに観測し、GaN表面酸化過程について検討した。