[26p-E206-1~14] CS.6 6.5 表面物理・真空、7.6 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

[26p-E206-4] 超音速分子線を使ったGaN表面酸化と放射光光電子分光分析

〇角谷 正友¹、坂本 徹哉²、津田 泰孝²、隅田 真人³、吉越 章隆² (1.物材機構、2.原子力機構、3.理研AIP)

キーワード：リアルタイム放射光光電子分光分析、GaN表面酸化

エネルギーの揃った分子線状態の酸化ガスを用いてXPS観測室内に設置した試料表面に照射しながらO 1s内殻スペクトルを測定できるシステムを用いて、次世代パワーデバイスとして期待されているGaN表面でのO1sスペクトル変化をリアルタイムに観測し、GaN表面酸化過程について検討した。