[26p-E301-1~12] 3.13 Semiconductor optical devices

[26p-E301-4] Development of ZnSe-based organic-inorganic hybrid ultraviolet APD - Optimization of multiplication layer width -

〇(M1)Yuya Tsuji¹, Ryuichi Miyazaki¹, Kaiki Nakamura¹, Rikuya Matano¹, Taiki Chikazoe¹, Shu Arimoto¹, Tomoki Abe¹, Kunio Ichino¹, Kazuaki Akaiwa¹ (1.Tottori Univ.)

Keywords:ZnSe, avalanche photodiode (APD), organic-inorganic hybrid structure

本研究で作製するAPD素子の特徴は，ZnSeを増倍層とし正孔輸送材料のPEDOT:PSSを窓層に使用した有機-無機ハイブリッド構造で，他の材料の紫外APD素子と比べて動作電圧が30V程度と低く，ブレークダウン直前の暗電流が~1pA/mm²と低暗電流であることである．さらに，エッチングなどの素子間分離加工なしで集積化が可能である．増倍層膜厚の最適化により最大増倍率約2500倍を観測した．