[26p-E301-1~12] 3.13 Semiconductor optical devices

△ [26p-E301-6] Comparison of experimental and calculated values for mid-infrared emission shapes related to the number of InAs/GaSb superlattice layers grown by MOVPE method.

〇(M1)Yuto Iwakiri¹, Masakazu Arai¹, Takeshi Fujisawa², Koji Maeda¹ (1.Miyazaki Univ., 2.Hokkaido Univ.)

Keywords:superlattice, mid-infrared emission, photoluminescence

MOVPE法で作製されたInAs/GaSb超格子の5層と15層の層数を実験値と計算値で比較した。励起キャリア濃度を10²³m⁻³と仮定した。計算値より4.6µmに最低のエネルギー差の発光であるピークと4.0µmにピークが得られた。5層では4.6µmが最大強度であるが15層ではより高エネルギーの4.0µmのピークが強くなった。観測されたPLスペクトルでも励起強度を選ぶと計算値と同様のピーク形状が見られた。