[26p-E304-1~10] 12.2 Characterization and Materials Physics

[26p-E304-6] Electron radiation damage of organic semiconductors analyzed by low energy electron transmission and principal component analysis

Kosuke Terado¹, 〇Hiroyuki Yoshida^2,3 (1.Chiba Univ., 2.Chiba Univ, 3.MCRC Chiba Univ.)

Keywords:organic semiconductor, principal component analysis, electron radiation damage

有機分子の電子照射による損傷閾値はおよそ 5 eV である。しかし、F基やCN基をもつ電子親和力の大きな分子では、より低いエネルギーの電子線照射で解離して損傷する。前回の発表で、電子照射に対する安定性を低エネルギー電子透過スペクトルのエネルギーシフトから検討した。しかし、この方法では、スペクトル形状や電流量の変化などを取り込めなかった。本研究では主成分分析を用いて、スペクトルの変化量を定量化し、損傷閾値を決定した。