[26p-E304-1~10] 12.2 評価・基礎物性

[26p-E304-6] 低エネルギー電子線透過分光と主成分分析法による有機半導体の電子線損傷の解析

寺戸 航佑¹、〇吉田 弘幸^2,3 (1.千葉大院融合理工、2.千葉大院工、3.千葉大分子キ)

キーワード：有機半導体、主成分分析、電子線損傷

有機分子の電子照射による損傷閾値はおよそ 5 eV である。しかし、F基やCN基をもつ電子親和力の大きな分子では、より低いエネルギーの電子線照射で解離して損傷する。前回の発表で、電子照射に対する安定性を低エネルギー電子透過スペクトルのエネルギーシフトから検討した。しかし、この方法では、スペクトル形状や電流量の変化などを取り込めなかった。本研究では主成分分析を用いて、スペクトルの変化量を定量化し、損傷閾値を決定した。