[26p-E304-1~10] 12.2 評価・基礎物性

[26p-E304-8] 二次元有機半導体単結晶への高密度キャリア誘起と絶縁体金属転移

〇山中 大輔¹、糟谷 直孝¹、岡本 敏宏^1,2、渡邉 峻一郎¹、竹谷 純一^1,3 (1.東大院新領域、2.JST さきがけ、3.物材機構)

キーワード：有機半導体、二次元電子系、電気二重層トランジスタ

高キャリア密度状態の物性を研究する手法としてイオン液体を用いた電気二重層トランジスタ(EDLT)を利用する手法が注目されており、この手法により従来困難とされていた有機半導体における二次元絶縁体金属相転移が近年報告された。本研究ではこの一般性を検証するためにC₁₀-DNTTの単結晶を対象としてEDLTによるバンドフィリング制御を行った。結果金属化が実現する可能性のある量子化抵抗h/e²よりも小さい抵抗値及び正の抵抗温度係数を観測した。