[26p-F408-1~11] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[26p-F408-3] TEM Analysis of the Junction Interface of Ge Heterojunction Solar Cells

〇Naoki Suyama¹, Kimihiko Saito², Kazuyoshi Nakada¹, Ryousuke Ishikawa¹, Makoto Konagai¹ (1.Tokyo City Univ., 2.Fukushima Univ.)

Keywords:Germanium solar cell, heterojunction, TEM

ヘテロ接合型Ge太陽電池の高効率化において、Ge基板の低抵抗化によりVocが向上すると共にエミッタ界面i-a-Si:H層の最適膜厚が増加する。i-a-Si:H層最適膜厚増加についてTEMによりSi/Ge界面構造を評価した。Ge基板表面近傍ではa-Siが部分的に結晶化しながらも、 三次元島状エピタキシャル成長による応力緩和でミスフィット転位が抑制されていることがわかった。エピ成長機構、pn接合についてSi/Ge界面組成、不純物及び容量分布評価より考察する。