[26p-F408-1~11] 16.3 シリコン系太陽電池

[26p-F408-3] ヘテロ接合型Ge太陽電池の接合界面TEM評価

〇陶山 直樹¹、齊藤 公彦²、中田 和吉¹、石川 亮佑¹、小長井 誠¹ (1.都市大総研、2.福島大共生システム理工)

キーワード：ゲルマニウム太陽電池、ヘテロ接合型、透過電子顕微鏡

ヘテロ接合型Ge太陽電池の高効率化において、Ge基板の低抵抗化によりVocが向上すると共にエミッタ界面i-a-Si:H層の最適膜厚が増加する。i-a-Si:H層最適膜厚増加についてTEMによりSi/Ge界面構造を評価した。Ge基板表面近傍ではa-Siが部分的に結晶化しながらも、 三次元島状エピタキシャル成長による応力緩和でミスフィット転位が抑制されていることがわかった。エピ成長機構、pn接合についてSi/Ge界面組成、不純物及び容量分布評価より考察する。