[26p-F408-1~11] 16.3 シリコン系太陽電池

[26p-F408-7] 直接窒化した極薄窒化Siによるパッシベーションコンタクト形成

〇Wen Yuli¹、Huynh Thi Cam Tu¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：窒化、Cat-CVD SiNx、パッシベーションコンタクト

Cat-CVD装置で生成したNH_xラジカルによりc-Siを直接に窒化する手法によるパッシベーションコンタクトの形成を試みた。2分間の窒化処理により1.1 nmの極薄窒化Si膜の形成を確認し、10秒間で1.8 nmの窒化Si膜が形成される堆積法より精密な膜厚制御を実現した。また、0.2 msの少数キャリア寿命も得られた。直接窒化法によるパッシベーションコンタクトで、高い面内均一性とキャリア伝導性が期待される。