12:00 〜 12:15 [18a-A301-12] GaN HEMTのGaNトラップによるY22信号と過渡応答特性の比較 〇大石 敏之1、加地 大樹1、田渕 田渕1、大塚 友絢2、山口 裕太郎2、新庄 真太郎2、山中 宏治2 (1.佐賀大学、2.三菱電機株式会社)