18:00 〜 18:15 △ [16p-D704-17] 磁性トポロジカル絶縁体Vy(BixSb1-x)2-yTe3のMBE成長におけるGaAsバッファ層導入の効果 〇中澤 佑介1、秋保 貴史1、蟹澤 聖1、入江 宏1、熊田 倫雄1、村木 康二1 (1.NTT物性研)