16:15 〜 16:30 [15p-A301-12] 多枚数近接昇華(MCSS)法によりエピタキシャル成長した4H-SiCの特性 〇長澤 弘幸1、成田 克2、千葉 哲也3 (1.株式会社CUSIC、2.山形大工、3.ドライケミカルズ)