09:30 〜 09:45 △ [15a-A301-1] 電子線照射により形成した4H-SiC中シリコン空孔の荷電状態とドーピング濃度の関係 〇張 盛杰1,2、佐藤 真一郎1、村田 晃一3、花輪 雅史3、元木 秀2,1、張 啓航1,2、土田 秀一3、土方 泰斗2、大島 武1 (1.量研、2.埼玉大院、3.電中研)