11:45 〜 12:00 [18a-A301-11] マイクロ波整流用AlGaN/GaNワイドリセス構造ゲーテッドアノードダイオードの高耐圧化に向けた中濃度コンタクト層の活用 〇渡邉 智也1、高橋 英匡1、安藤 裕二1,2、分島 彰男3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)