11:00 〜 11:15 △ [16a-A408-9] C-Si-OチャネルノーマリーオフダイヤモンドMOSFETの高周波動作特性 〇(B)賈 学テイ1、高橋 輝1、Fu Yu1,3、浅井 風雅1、太田 康介1、平岩 篤1、川原田 洋1,2 (1.早大理工、2.早大材研、3.電子科技大学)