15:15 〜 15:30 [17p-B401-8] 280 nm帯AlGaN量子井戸LEDの劣化機構に関する考察 〇秩父 重英1、嶋 紘平1、粕谷 拓生1、永田 賢吾2、奥野 浩司2、齋藤 義樹2、石黒 永孝3、竹内 哲也3 (1.東北大多元研、2.豊田合成、3.名城大理工)