16:00 〜 18:00 [17p-PB07-1] 誘電体薄膜と紫外レーザー照射によるInGaN/GaN量子井戸の高効率発光 〇三戸田 健太1、垣内 晴也1、松山 哲也1、和田 健司1、船戸 充2、川上 養一2、岡本 晃一1 (1.阪公大工、2.京大院工)