13:30 〜 15:30 [16p-PA05-1] 第一原理計算による余剰電子・ホールがSiC結晶多形、積層欠陥の構造安定性に与える影響の基礎検討 〇榊間 大輝1、泉 聡志1 (1.東大工) PDF ダウンロード スケジュール いいね! コメント ( )
13:30 〜 15:30 [16p-PA05-2] 4H-SiC基板表面におけるステップアンバンチング現象 〇(DC)榊原 涼太郎1、乗松 航1 (1.名大院工) PDF ダウンロード スケジュール いいね! コメント ( )
13:30 〜 15:30 [16p-PA05-3] 4H-SiCにおける電荷移動型原子間ポテンシャルの開発と基底面部分転位対の収縮現象への適用 〇平能 敦雄1、榊間 大輝1、波田野 明日可1、泉 聡志1 (1.東大工) PDF ダウンロード スケジュール いいね! コメント ( )