一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
13:00 〜 13:15
〇二宮 雅輝1、藤平 哲也1、林 侑介1、酒井 朗1 (1.阪大基礎工)
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13:15 〜 13:30
〇市場 友宏1,2、ユン サンムーン1,3、オーケー ジョンモック1,4、ユン ミーナ1、リー ホニオン1、レボレド フェルナンド1 (1.オークリッジ国立研、2.北陸先端大、3.嘉泉大、4.釜山国立研)
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13:30 〜 13:45
〇上田 浩平1,2,3、福島 健太1、木田 孝則4、萩原 政幸4、松野 丈夫1,2,3 (1.阪大理、2.阪大CSRN、3.阪大SRDN、4.阪大先端強磁場)
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13:45 〜 14:00
〇上田 浩平1,2,3、藤井 駿人1、木田 孝則4、萩原 政幸4、松野 丈夫1,2,3 (1.阪大理、2.阪大CSRN、3.阪大SRDN、4.阪大先端強磁場)
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14:00 〜 14:15
〇(M2)森本 鉄郎1、上田 浩平1,2,3、松野 丈夫1,2,3 (1.阪大理、2.阪大CSRN、3.阪大SRND)
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14:15 〜 14:30
〇岩瀬 大輝1、朱 子誠1、中西 卓也2、朝日 透2 (1.株式会社オプトラン、2.早大先進理工)
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14:30 〜 14:45
〇Mikk Lippmaa1、Taizo Mori1、Ryota Takahashi2、Haotong Liang3、Ichiro Takeuchi3 (1.Tokyo Univ.、2.Nihon Univ.、3.Maryland Univ.)
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15:00 〜 15:15
〇長谷川 直人1、吉松 公平1、志賀 大亮1、神田 龍彦1、宮崎 悟1、北村 未歩2、堀場 弘司2、組頭 広志1,2 (1.東北大多元研、2.KEK 物構研)
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15:15 〜 15:30
〇高橋 龍之介1、山崎 未南斗1、中田 勝1、吉松 公平2、組頭 広志2、和達 大樹1,3 (1.兵庫県大院理、2.東北大多元研、3.阪大レーザー研)
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15:30 〜 15:45
玄地 真悟1、中払 周2、岩崎 拓哉2、渡邉 賢司2、谷口 尚2、若山 裕2、〇服部 梓1、田中 秀和1 (1.阪大産研、2.物材機構)
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15:45 〜 16:00
〇Haobo Li1、Shunsuke Kobayashi2、Binjie Chen3、Hiroshi Takatsu4、Azusa Hattori1、Wei-Hua Wang5、Hiromichi Ohta6、Hidekazu Tanaka1、Hiroshi Kageyama4 (1.Osaka Univ.、2.JFCC、3.Hokkaido Univ.、4.Kyoto Univ.、5.Nankai Univ.、6.Hokkaido Univ. RIES)
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16:00 〜 16:15
〇相馬 拓人1、吉松 公平1、堀場 弘司2、組頭 広志2、大友 明1 (1.東工大物質理工、2.KEK-PF)
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16:15 〜 16:30
〇(M1)梅崎 景都1、大坂 藍1、服部 梓1、田中 秀和1 (1.阪大産研)
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16:30 〜 16:45
〇迫田 將仁1、香田 匡貴1、新谷 和司1 (1.北大工)
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