一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
10:00 〜 10:15
〇三沢 源人1、島 久1、内藤 泰久1、秋永 広幸1 (1.産総研デバイス技術)
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10:15 〜 10:30
〇福地 厚1、椿 啓司1、片瀬 貴義2、神谷 利夫2、有田 正志1、高橋 庸夫1 (1.北大院情報、2.東工大フロ研)
スケジュール
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10:30 〜 10:45
John Sevic1,2、〇Nobuhiko P Kobayashi3,4,5,6 (1.Electrical Engineering、2.Embry-Riddle Aeronautical University、3.Nanostructured Energy Conversion Technology and Research (NECTAR)、4.Electrical and Computer Engineering Department、5.Baskin School of Engineering、6.University of California Santa Cruz)
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10:45 〜 11:00
〇田中 正和1、黄 川洋1、岡安 信治1、清水 智弘1、伊藤 健1、新宮原 正三1 (1.関西大理工)
スケジュール
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11:00 〜 11:15
〇大野 知晟1、西 佑介1 (1.舞鶴高専)
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11:15 〜 11:30
〇SatyaPrakash Pati1、Satoshi Hamasuna1、Takeaki Yajima1 (1.Kyushu Univ.)
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