2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[15a-A408-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

2023年3月15日(水) 09:00 〜 11:30 A408 (6号館)

一色 秀夫(電通大)、楢木野 宏(九大)

10:00 〜 10:15

[15a-A408-5] 大型バルク(100)CVD単結晶成長と加工による高次の面指数を持つ単結晶ダイヤモンド自立基板作製

嶋岡 毅紘1、山田 英明1、茶谷原 昭義1 (1.産総研)

キーワード:ダイヤモンド、化学気相成長、自立膜

(111)面や(113)面など、高次の面指数を持った面は不純物ドーピングの制御性に優れる一方、ダイヤモンドでは大口径化が容易でない。本研究では、(100)バルクCVD単結晶の加工による(111)単結晶基板作製を検証した。10mm × 10mm × 6mmtの(100)バルク単結晶切り出しにより7mm × 6mm の単結晶(111)基板、ダイレクトウエハ法によるクローン自立膜の作製に成功した。