[15a-A409-1~6] 6.3 Oxide electronics

△ [15a-A409-5] He buffer gas effect on luminescence properties of Tb:Y₂O₃ thin films

〇(D)Shizuka Suzuki¹, Takuro Dazai¹, Chiharu Tokunaga², Takahisa Yamamoto², Ryuji Katoh¹, Ryota Takahashi¹ (1.Nihon Univ., 2.Nagoya Univ.)

Keywords:thin film, fluorescent material

希土類蛍光体は、レーザー材料やX線センサー、光通信、さらに太陽電池の光変換材料といった様々な分野で広く用いられている。蛍光体の発光特性は、ドープ元素の濃度や母体材料との組み合わせ、結晶欠陥量によって変化する。これまでに我々は、HeとO₂混合ガス雰囲気下にて成膜を行うことにより、Eu:Y₂O₃薄膜の結晶欠陥生成を抑制し、蛍光特性を改善することを報告してきた。本発表では、この手法をTb:Y₂O₃薄膜に適用し、欠陥量を制御することにより、発光強度を2.8倍に高め、発光寿命を約2倍長くすることに成功した。