2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[15a-A409-1~6] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2023年3月15日(水) 10:00 〜 11:30 A409 (6号館)

田中 秀和(阪大)

11:00 〜 11:15

[15a-A409-5] Tb:Y2O3蛍光体薄膜のHeバッファーガス効果

〇(D)鈴木 静華1、太宰 卓朗1、徳永 智春2、山本 剛久2、加藤 隆二1、高橋 竜太1 (1.日大工、2.名大工)

キーワード:薄膜、蛍光体

希土類蛍光体は、レーザー材料やX線センサー、光通信、さらに太陽電池の光変換材料といった様々な分野で広く用いられている。蛍光体の発光特性は、ドープ元素の濃度や母体材料との組み合わせ、結晶欠陥量によって変化する。これまでに我々は、HeとO2混合ガス雰囲気下にて成膜を行うことにより、Eu:Y2O3薄膜の結晶欠陥生成を抑制し、蛍光特性を改善することを報告してきた。本発表では、この手法をTb:Y2O3薄膜に適用し、欠陥量を制御することにより、発光強度を2.8倍に高め、発光寿命を約2倍長くすることに成功した。