[15a-A502-1~8] 3.14 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス（旧3.15）

△ [15a-A502-6] バルクSi上への光集積に向けたSiGe/Ge層のエピタキシャル成長

〇(M1)佐藤 真希斗¹、西依 輝¹、Piedra-Lorenzana Jose A.¹、飛沢 健¹、石川 靖彦¹ (1.豊橋技科大)

キーワード：シリコンフォトニクス、光導波路、シリコンゲルマニウム

バルクSiウェハ上の光導波路材料として、Si上にエピタキシャル成長したSiGeの利用を検討している。Ge組成50％のSi_0.5Ge_0.5が光通信波長帯の導波路として理論上良好に機能することを報告している。今回は、化学気相成長法によりSiウェハ上へのSiGe層の直接成長、ならびにSiGe層上へのGe成長を試みたので報告する。