[15a-A502-1~8] 3.14 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス（旧3.15）

△ [15a-A502-7] Si上Ge細線構造を用いた導波路受光器の受光スペクトルと温度依存性

〇(M1C)金子 尚平¹、Piedra-Lorenzana Jose A.¹、藤方 潤一²、石川 靖彦¹ (1.豊橋技科大、2.徳島大)

キーワード：シリコンフォトニクス、Ge、受光器

Siフォトニクスにおいて、Si上Geエピタキシャル層は光通信波長帯 (1.3-1.6µm)で動作する受光器や光強度変調器の作製に利用されている。本研究では、Ge細線構造を用いた横型pin受光器について、responsivityスペクトルの温度依存性を評価した。温度上昇とともにスペクトルは長波長側へシフトし、変化量はGe細線の幅によらず約0.8 nm/°Cであった。Geの直接遷移バンドギャップが温度上昇とともに減少し、光吸収端が長波長化する特性を反映している。