2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[15a-B401-1~7] 15.4 III-V族窒化物結晶

2023年3月15日(水) 09:45 〜 11:30 B401 (2号館)

齋藤 義樹(豊田合成)

11:15 〜 11:30

[15a-B401-7] 半極性面上InGaN系マイクロレンズ構造の広帯域発光に向けた作製条件の検討

福重 翔吾1、松田 祥伸1、船戸 充1、川上 養一1 (1.京大工)

キーワード:InGaN、半極性

最近我々は,傾斜角が連続的に変化するGaNマイクロレンズ構造上に形成したInGaN発光層が,In組成分布によって多波長発光特性を示すことを報告した.さらに,この構造を半極性(-1-12-2)面上に作製したが,その波長域は紫色領域にとどまっていた.本研究では,(-1-12-2)面InGaN系マイクロレンズ構造の長波長化と広帯域化を目的に,レンズ形状と結晶成長条件を検討したので報告する.