[15a-D215-1~9] 9.1 誘電材料・誘電体

[15a-D215-1] 溶液法IGZOとAu電極によるショットキーバリアダイオードの作製

〇森本 貴明¹、笹島 宏青¹、田内 千裕¹、石川 航平¹、石井 啓介¹ (1.防衛大学校)

キーワード：IGZO、ショットキー接触、溶液法

これまでの研究で得た、低温焼成した溶液法IGZO-TFTのIGZOとAuドレイン電極間にショットキー接触が形成されるとの知見に基づきダイオードを試作した。TFTのゲートとドレインを導通させた構造はダイオードとして動作したが、大きなバイアス電圧(40 V)が必要となる。有力な解決策はAu、IGZO、Alの順に積層させ縦方向にダイオードを形成することであるが、現時点ではダイオードとしての動作が確認できていない。