[15a-D511-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[15a-D511-4] ANN ポテンシャルを用いた Si(100)表面近傍の原子空孔クラスターに関する計算

〇(M2)佐藤 正義¹、横井 達矢²、神山 栄治³、野田 祐輔³、末岡 浩治³ (1.岡山県大院情報系工、2.名古屋大院工、3.岡山県大情報工)

キーワード：原子空孔、ANNポテンシャル

半導体Siウェーハの表面近傍に存在する原子空孔（V）クラスターについて，その物性を理解することは重要である．そこで本研究では，Vを含む表面モデルの計算結果を学習データに加えたANNポテンシャルを作成し，表面構造を持つ35個のVからなるVクラスター（V₃₅）の安定性について計算を行った．