[15a-D511-1~11] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[15a-D511-5] First-Principles Phase-Field Simulations on Aggregation of Intrinsic Point Defects in Si Single Crystals

〇Yusuke Noda¹, Riichi Kuwahara², Ryoji Sahara³, Koji Sueoka¹, Kaoru Ohno⁴ (1.Okayama Pref. Univ., 2.Dassault Systemes K. K., 3.Nat. Inst. Mater. Sci., 4.Yokohama Nat. Univ.)

Keywords:silicon, defect, phase-field simulation

本研究では第一原理フェーズフィールド（FPPF）法を用いたSi単結晶中の原子空孔欠陥（V）・格子間Si欠陥の凝集のシミュレーションを実行する．従来のフェーズフィールド（PF）法とは異なり，FPPF法では経験的パラメータを使わずに第一原理計算から得られるクラスター構造のエネルギー値に基づいてPFのシミュレーションを実行でき，任意のSi：V比におけるSiのPF変数の分布から，原子空孔欠陥や格子間Si欠陥が凝集する様子を確認した．