[15a-D511-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[15a-D511-5] Si単結晶中の真性点欠陥凝集の第一原理フェーズフィールド計算

〇野田 祐輔¹、桑原 理一²、佐原 亮二³、末岡 浩治¹、大野 かおる⁴ (1.岡山県立大情報工、2.ダッソー・システムズ、3.物材機構構造材料、4.横浜国大院工)

キーワード：シリコン、欠陥、フェーズフィールド法

本研究では第一原理フェーズフィールド（FPPF）法を用いたSi単結晶中の原子空孔欠陥（V）・格子間Si欠陥の凝集のシミュレーションを実行する．従来のフェーズフィールド（PF）法とは異なり，FPPF法では経験的パラメータを使わずに第一原理計算から得られるクラスター構造のエネルギー値に基づいてPFのシミュレーションを実行でき，任意のSi：V比におけるSiのPF変数の分布から，原子空孔欠陥や格子間Si欠陥が凝集する様子を確認した．