[15a-E102-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[15a-E102-1] 静電噴霧堆積法により堆積したNiO薄膜の電気特性の制御

〇大久保 慶人¹、友野 恵介¹、庄司 拓真¹、杉山 睦^1,2 (1.東理大　理工、2.東理大　総研)

キーワード：酸化ニッケル、ウェットプロセス、正孔輸送層