[15a-E102-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[15a-E102-2] 連続組成傾斜RS-MgZnO薄膜の成長

〇大塚 知紀¹、菊池 瑛嗣^2,3、服部 太政¹、荒木 努¹、金子 健太郎² (1.立命館大理工、2.立命館大総研、3.京大院工)

キーワード：酸化マグネシウム、酸化亜鉛、真空紫外発光

従来の紫外用ガス光源に替わる固体光源としてRS-MgZnOが注目されている。RS-MgZnOは低Mg組成においてキャリア制御が容易になることが示されている。そこで導電性発現に向けた第一段階として、本研究では、組成傾斜層を新たに考案した濃度勾配式ミストCVD法で作成し不安定な低Mg組成領域の薄膜形成を試みた。X線回折測定からは、単相のRS-MgZnO薄膜が示唆される結果が得られた。さらにTEMによって詳細な構造解析を行った。