[15a-E102-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[15a-E102-3] ZnO薄膜のスパッタ誘起結晶欠陥に及ぼすZn供給の効果

〇山田 容士¹、白數 柊也²、舩木 修平¹ (1.島根大総理工、2.島根大自然)

キーワード：透明導電膜、スパッタリング、結晶欠陥

ZnO薄膜の結晶欠陥を成膜プロセスにより制御する手段として考案したZn供給成膜スパッタリング法を用いて，GZO膜の導電性をターゲットと基板の間隔（T-S間隔）に対して調べた。Zn供給成膜は，T-S間隔の増加に伴い導入されるアクセプター性欠陥を減少させ，粒界散乱の寄与を低減させる効果を有することが分かった。これにより 4 × 10^-4 Ωcmの抵抗率を無加熱成膜で再現よく得られた。