[15a-E102-1~10] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [15a-E102-7] Effects of annealing treatment on electrical properties of ZnO thin films by AD method

〇Yumeng Zheng¹, Shyoki Toriyama¹, Yuuki Sato¹, Shinzo Yoshikado¹ (1.Doshisha Univ.)

Keywords:ZnO, nonlinear VI characteristics, aerosol deposition

近年、電子デバイスの静電気保護対策として、低電圧で応答速度の速いの小型バリスタが求められている。特にリチウムイオン電池(単セル電圧範囲2.7～4.2V)に適したバリスタが、従来の積層バリスタでは限界電圧が8V程度となり、適用が困難である。本研究では，短時間で膜厚が大きくピンホールのない緻密な薄膜を形成することができるエアロゾルデポジション法(AD)により、低電圧薄膜酸化亜鉛バリスタを作製することを目指す。