[15a-E102-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [15a-E102-8] ミストCVD法によるIII族ドープ岩塩構造MgZnO薄膜成長

〇松田 真樹¹、小川 広太郎²、太田 優一³、山口 智広¹、金子 健太郎⁴、藤田 静雄⁵、本田 徹¹、尾沼 猛儀¹ (1.工学院大、2.オーク製作所、3.都産技研、4.立命館大、5.京大院工)

キーワード：酸化マグネシウム亜鉛、ドーピング、電気特性

MgOを起点とする岩塩構造のMgZnO (RS-MgZnO)はバンドギャップ(E_g)が大きく，深紫外，真空紫外域の半導体発光材料として注目されている．今後, RS-MgZnO系材料を発光素子へと展開するためにはn型伝導性制御は必須の課題となる．そこで，本研究ではミストCVD法によりIn，Ga，AlをドープしたRS-MgZnOの成膜を行った．講演では，電気的特性評価結果と合わせて報告する．