[15a-E102-1~10] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [15a-E102-9] Reactive ion etching-induced damages of ZnO single crystals studied by using time-resolved photoluminescence and x-ray photoelectron spectroscopy methods

〇Takumi Kasuya¹, Kohei Shima¹, Shigefusa Chichibu¹ (1.IMRAM-Tohoku Univ.)

Keywords:Zinc oxide, Time-resolved photoluminescence, Reactive ion etching

2022年秋の講演会では、ZnOウエハに化学機械研磨を行うことにより、高濃度の非輻射再結合欠陥が導入されることを報告した。本講演では、薄膜化の際に導入される欠陥濃度を低減できる手法の探索を目的として、反応性イオンエッチングを行ったZnOウエハの時間分解フォトルミネッセンス及びX線光電子分光測定を行った結果を報告する。