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[15a-PA01-12] 極微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェンFETの作製
キーワード:グラフェン、FET、金属凝集法
我々はこれまでに金属触媒を凝集させる技術を用いることで転写フリーグラフェンを絶縁基板上に形成できることを報告した。また、転写フリーグラフェンを用いたFETを作製し、ゲート電圧によるドレイン電流の変調を確認した。本研究では、EB露光および基板加熱Ni蒸着によるサブミクロン間隔のNiパターン作製、および転写フリーグラフェンを用いたFETの作製を試みたので、結果を報告する。