[15a-PA01-1~56] 17 Nanocarbon Technology (Poster)

[15a-PA01-29] Hydrophobization of SiO₂ Substrates for Robust Graphene Field-Effect Transistor Biosensors

〇Tomomi Nakano¹, Shota Ushiba¹, Naruto Miyakawa¹, Ayumi Shinagawa¹, Takao Ono^2,3, Yasushi Kanai^2,4, Shinsuke Tani¹, Masahiko Kimura¹, Kazuhiko Matsumoto² (1.Murata Manufacturing Co., Ltd., 2.SANKEN, Osaka Univ., 3.JST-PRESTO, 4.OTRI, Osaka Univ.)

Keywords:graphene, FET, work of adhesion

本研究では、疎水性及び親水性のSiO2基板上に作製したグラフェン電界効果トランジスタ (G-FET) のロバスト性を調査した。APTESを用いて疎水化処理した基板で作製したG-FETは、溶液浸漬後、数日経過してもグラフェンは基板から剥離せずに安定であった。比較として、O2プラズマを用いて親水化処理した基板で作製したG-FETは、溶液浸漬後、数分以内にグラフェンが基板から剥離した。