[15a-PA01-1~56] 17 Nanocarbon Technology (Poster)

[15a-PA01-36] Compositional change of the ALD-grown WS₂ thin film as a function of cycle numbers

〇Takafumi Fukushima¹, Hong En Lim¹, Keiji Ueno¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:transition metal dichalcogenide, atomic layer deposition, WS2

6族TMDCの一種であるWS₂はその特異な電気的特性から注目を集めている。前回の発表では、ALD成長したWS₂薄膜で作製したFETがp型の挙動を示すことを報告した。そこで本発表では、ALD成膜の理解を深めるため、サイクル数を変えた際の膜質を比較した。また、成長パラメータ改善や硫黄アニールを行うことで、膜質向上を試みた。