[15a-PA01-1~56] 17 Nanocarbon Technology (Poster)

[15a-PA01-37] Growth of NbS₂ thin films using liquid precursors and their XPS analysis

〇Koki Yoshida¹, Hong En Lim¹, Keiji Ueno¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:transition metal dichalcogenide, NbS2, molecular beam epitaxy

5族の遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)は、電荷密度波、磁性、超伝導といった特異な物性が注目されているが、金属で酸化されやすく、薄膜応用の研究例は少ない。本研究では二硫化ニオブ(NbS₂)に注目し、分子線エピタキシー装置と、原子層堆積法で使用されるNbとSの液体前駆体を使用し、NbS₂薄膜の成長を試みた。さらに、正確な薄膜組成の評価のために、試料を大気に曝露せずにX線光電子分光測定を行った。