[15p-A205-1~12] 低次元材料のデバイス応用の最新動向

△ [15p-A205-5] CVD成長した数層h-BN膜の磁気トンネル接合素子への応用

〇楠瀬 宏規¹、深町 悟²、河原 憲治²、堺 研一郎³、木村 崇⁴、日比野 浩樹⁵、吾郷 浩樹^1,2 (1.九大院総理工、2.九大GIC、3.久留米高専、4.九大院理、5.関学大工)

キーワード：h-BN、トンネル接合素子、MRAM

我々はCVD合成により高品質かつ大面積の数層hBNを合成した。得られた数層hBNを用いて、トンネル磁気接合（MTJ）素子を作製し、TMR測定を実施した。その結果、数％から15%のMR比の測定に成功したので報告する。