[15p-A301-1~13] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-A301-11] 蛍光4H-SiCの電圧制御陽極酸化におけるパルス電圧条件の検討

〇(B)水野 大誠¹、小寺 慶太¹、秋吉 翔太¹、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、Weifang Lu²、Yiyu Ou³ (1.名城大理、2.Xianmen Univ.、3.Technical University of Denmark)

キーワード：半導体、光デバイス、SiC

SiCにBとNを高濃度にドーピングした蛍光SiCの基板表面に陽極酸化エッチングにより微細な孔（ポーラス）を形成することで発光の短波長化、高強度化が得られる。これにより広域なスペクトルを持つ演色性の高い白色LEDの実現が期待される。蛍光SiCではエッチングが困難であり十分な形状と膜厚のポーラスは得られない。本報告では陽極酸化時に負のバイアス電圧を印加することが陽極酸化に有効であることが確認された。