[15p-A301-1~13] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [15p-A301-7] Electrical properties of thermally oxidized n- and p-type layers formed by ion implantation into high-purity semi-insulating SiC substrates

〇Qimin Jin¹, Chansoon Koo¹, Mitsuaki Kaneko¹, Tsunenobu Kimoto¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:semiconductor, semi-insulating, silicon carbide

高温動作IC用基板として注目を集めている高純度半絶縁性(HPSI)SiC基板において、イオン注入によりデバイスを作製する際、注入層の電気的性質に関する詳細な知見が求められる。熱酸化処理により、HPSI SiC基板上イオン注入層の多量の点欠陥が減少し、補償欠陥密度が低減する可能性はあるが、報告が少ない。本研究では、HPSI SiC基板上n型、p型イオン注入層のHall効果測定を行い、熱酸化処理の有無によるイオン注入層の電気的性質の差異を評価した。