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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[15p-A403-1~16] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2023年3月15日(水) 13:00 〜 17:15 A403 (6号館)

鵜殿治彦(茨城大)、末益崇(筑波大)、山口憲司(量研機構)

16:15 〜 16:30

[15p-A403-13] 近接蒸着法により作製したCaSi₂薄膜の結晶配向性

〇(BC)高垣僚太¹、有元圭介¹、山中淳二¹、原康祐¹ (1.山梨大)

キーワード：層状物質、蒸着、エピタキシャル成長