2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[15p-A403-1~16] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2023年3月15日(水) 13:00 〜 17:15 A403 (6号館)

鵜殿 治彦(茨城大)、末益 崇(筑波大)、山口 憲司(量研機構)

13:15 〜 13:30

[15p-A403-2] BaSi2薄膜の結晶粒界とキャリア寿命の関係

原 康祐1、有元 圭介1、宇佐美 徳隆2 (1.山梨大クリスタル研、2.名大院工)

キーワード:シリサイド半導体、蒸着、キャリア寿命

新規太陽電池材料として注目されるBaSi2は、結晶粒界がキャリアの再結合中心や散乱中心になりにくい興味深い性質を持つ。本研究では、成膜温度、膜厚、Si基板面方位を変えて様々な微細構造を持つBaSi2薄膜を作製し、キャリア寿命を調べた。その結果、弱いながらも結晶粒界密度とキャリア寿命の間に負の相関を見出した。