[15p-A409-1~11] 6.3 Oxide electronics

△ [15p-A409-1] Controlling lattice deformation of Ti₂O₃ films via film thickness

〇(M1)Sena Takada¹, Kohei Yoshimatsu¹, Hiroshi Kumigashira¹ (1.IMRAM, Tohoku Univ.)

Keywords:Metal-Insulator Transition, Titanium Oxides

コランダム型構造を持つTi₂O₃は約450Kで金属－絶縁体転移（MIT）を示し、MIT前後で結晶の対称性を保ったままc軸長とa軸長の比（c/a比）が大きく変化する。それゆえ、Ti₂O₃の特異なMITを理解するには、格子変形と電気特性の関連性を明らかにする必要がある。本研究では、Ti₂O₃薄膜のドメインサイズを膜厚で制御し、より直接的にc/a比とMITの関係を明らかにすることを試みた。