[15p-A409-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [15p-A409-2] その場放射光電子分光によるCrドープVO₂エピタキシャル薄膜の電子相図

〇志賀 大亮^1,2、程 详遴¹、金 兌炫¹、神田 龍彦^1,2、長谷川 直人¹、北村 未歩²、吉松 公平¹、組頭 広志^1,2 (1.東北大多元研、2.KEK物構研)

キーワード：強相関電子系、金属-絶縁体転移、光電子分光

VO₂が示す急激な電子相転移は、強相関効果と集団的V-V二量化が協調することで生じると考えられている。一方、これまで我々は、Cr:VO₂薄膜が描く複雑な電子相図を報告してきた。この起源に迫るべく放射光分光による電子状態観測を行った結果、Cr:8at%ではCr³⁺置換により集団的二量化が抑制されている一方で、フェルミ準位近傍のV 3d状態及びエネルギーギャップは本質的にCr:0–8at%の範囲で不変であることが分かった。これらの結果から、Cr:VO₂の電子相転移はV-V二量化支援型モット転移であると結論づけた。一方、Cr:>8at%ではモットギャップが観測された。この領域においては、モット不安定性がパイエルス不安定性に打ち勝つことで二量化を伴わないモット絶縁体相が安定化すると考えられる。